| 标题 |
 Impact of Post‐Lithography Polymer Residue on the Electrical Characteristics of MoS2 and WSe2 Field Effect Transistors 光刻后聚合物残留物对MoS2和WSe2场效应晶体管电学特性的影响
相关领域
材料科学
场效应晶体管
兴奋剂
表面粗糙度
晶体管
聚合物
分析化学（期刊）
光电子学
表面电荷
原子力显微镜
平版印刷术
纳米技术
电压
复合材料
物理化学
物理
化学
量子力学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Jierui Liang; Ke Xu; Blaec Toncini; Brian Bersch; Bhakti Jariwala; et al 出版日期：2018-12-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
薰硝壤
Singularity
Leonardi
从容芮
可靠的书桃
paparazzi221
pluto
一一
完美的天空
HEIKU
pcr163
ONESTUD
寻道图强
咖啡豆
彳亍1117
陈军
yufanhui
tuanheqi
rosalieshi
皖公网安备34019202002308
