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Silent Synapse Activation by Plasma‐Induced Oxygen Vacancies in TiO 2 Nanowire‐Based Memristor
等离子体诱导氧空位激活TiO2纳米线忆阻器中的沉默突触
相关领域
记忆电阻器
材料科学
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期刊:Advanced electronic materials 作者:Xuanyu Shan; Zhongqiang Wang; Ya Lin; Tao Zeng; Xiaoning Zhao; et al 出版日期:2020-08-12 |
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