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 Avalanche Injection of Electrons into Insulating SiO2 Using MOS Structures 利用MOS结构向绝缘SiO2中雪崩注入电子
相关领域
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期刊：Journal of applied physics 作者：E. H. Nicollian; C. N. Berglund 出版日期：1970-06-01 |
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