Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-Type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation

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标题	Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-Type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation 氮离子注入预非晶p型4H-SiC湿式氧化制备MOS电容器相关领域材料科学电容器离子注入制作氮气氧化物无定形固体图层（电子）光电子学离子纳米技术电压冶金电气工程化学结晶学工程类医学病理有机化学替代医学
网址	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.651
DOI	10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.651 doi
其它	期刊：Materials science forum 作者：Yasuto Hijikata; Sadafumi Yoshida; P. Lariccia; Antonella Poggi; S. Solmi; et al 出版日期：2007-09-15
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