标题 |
Analysis of On-Resistance in 650-V Enhancement-Mode Active-Passivation p-GaN Gate HEMT
650V增强型有源钝化p-GaN栅极HEMT导通电阻分析
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
钝化
光电子学
模式(计算机接口)
晶体管
纳米技术
电气工程
图层(电子)
电压
计算机科学
工程类
操作系统
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期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者:Yanlin Wu; Junjie Yang; Jingjing Yu; Hao Chang; Xuelin Yang; et al 出版日期:2024-11-01 |
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