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标题
Profiles and defects in highly channeled and random beam orientation MeV dopant implants in Si(100)
Si（100）中高沟道和随机束取向MeV掺杂剂注入的轮廓和缺陷
相关领域
材料科学 光致发光 重组 梁（结构） Crystal（编程语言） 光学 光电子学 物理 计算机科学 基因 程序设计语言 生物化学 化学
网址
https://doi.org/10.1557/s43580-022-00481-2
DOI
10.1557/s43580-022-00481-2 doi
其它 期刊：MRS Advances
作者：Michael Current; Yoji Kawasaki; Takuya Sakaguchi; A. Pongrácz; Viktor Samu
出版日期：2023-01-05
求助人
Gaoge 在 2024-12-16 17:16:43 发布自北京，悬赏 10 积分
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