Highly uniform resistive switching characteristics of Ti/TaOx/ITO memristor devices for neuromorphic system

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标题	Highly uniform resistive switching characteristics of Ti/TaOx/ITO memristor devices for neuromorphic system 用于神经形态系统的Ti/TaOx/ITO忆阻器器件的高均匀电阻开关特性相关领域神经形态工程学材料科学记忆电阻器峰值时间相关塑性光电子学脉搏（音乐）赫比理论重置（财务）长时程增强人工神经网络电压电子工程计算机科学电气工程化学人工智能金融经济学工程类生物化学经济受体
网址	https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2023.170920
DOI	10.1016/j.jallcom.2023.170920 doi
其它	期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Dong-Hyuk Ju; Jang Hyun Kim; Sungjun Kim 出版日期：2023-10-01
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