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 An indirect way to achieve comprehensive performance improvement of resistive memory: when hafnium meets ITO in an electrode 实现电阻存储器综合性能提升的间接途径：当铪在电极中遇到ITO
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期刊：Nanoscale 作者：Lei Li; Kuan‐Chang Chang; Cong Ye; Xinnan Lin; Rui Zhang; et al 出版日期：2019-12-30 |
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