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 Effect of carbon doping on threshold voltage and mobility of In-Si-O thin-film transistors 碳掺杂对In-Si-O薄膜晶体管阈值电压和迁移率的影响
相关领域
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薄膜晶体管
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Kazunori Kurishima; Toshihide Nabatame; Nobuhiko Mitoma; Takio Kizu; Shinya Aikawa; et al 出版日期：2018-10-17 |
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