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 Advances in foundry SiGe HBT BiCMOS processes through modeling and device scaling for ultra-high speed applications 通过超高速应用的建模和器件缩放实现代工SiGe HBT BiCMOS工艺的进展
相关领域
异质结双极晶体管
比克莫斯
硅锗
计算机科学
材料科学
电气工程
光电子学
晶体管
工程类
硅
双极结晶体管
电压
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期刊： 作者：S. Phillips; Edward Preisler; Jie Zheng; S. Chaudhry; M. Racanelli; et al 出版日期：2021-12-05 |
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