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![]() 编者按:“通过具有亚微米空间分辨率的低温光致发光显微镜检测外延横向过度生长GaN中的杂质掺入”(晶体生长杂志,第237-239卷,第2部分,2002年4月,第1075-1078页)[https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)02139-X]
相关领域
外延
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Jeffrey J. Derby 出版日期:2024-02-06 |
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