The impact of wafer nanotopography on threshold voltage variation in NAND flash memory cells fabricated with poly-silicon chemical mechanical polishing

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标题	The impact of wafer nanotopography on threshold voltage variation in NAND flash memory cells fabricated with poly-silicon chemical mechanical polishing 晶片纳米形貌对多晶硅化学机械抛光NAND闪存单元阈值电压变化的影响相关领域纳米地形薄脆饼抛光化学机械平面化光电子学闪光灯（摄影）材料科学与非门硅闪存阈值电压纳米技术电压复合材料晶体管电气工程逻辑门光学工程类嵌入式系统物理
网址	https://doi.org/10.1088/0268-1242/23/12/125030
DOI	10.1088/0268-1242/23/12/125030 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Jea‐Gun Park; Jin-Hyung Park; Seong-Je Kim; Manabu Kanemoto; Gon-Sub Lee 出版日期：2008-11-07
求助人	lgh 在 2025-04-11 11:43:40 发布自陕西，悬赏 10 积分
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