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标题
True Nonvolatile High‐Speed DRAM Cells Using Tailored Ultrathin IGZO
采用特制超薄IGZO的真正非易失性高速DRAM单元
相关领域
材料科学 德拉姆 光电子学 非易失性存储器 欧姆接触 阈值电压 兴奋剂 晶体管 无定形固体 肖特基二极管 纳米技术 电气工程 电压 二极管 工程类 图层（电子） 化学 有机化学
网址
https://doi.org/10.1002/adma.202210554
DOI
10.1002/adma.202210554 doi
其它 期刊：Advanced Materials
作者：Qianlan Hu; Chengru Gu; Qijun Li; Shenwu Zhu; Shiyuan Liu; et al
出版日期：2023-03-09
求助人
spark810 在 2024-10-19 07:54:49 发布自美国，悬赏 10 积分
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