Mobility overestimation in molybdenum disulfide transistors due to invasive voltage probes

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标题	Mobility overestimation in molybdenum disulfide transistors due to invasive voltage probes 侵入式电压探针对二硫化钼晶体管迁移率的高估相关领域二硫化钼钼晶体管二硫键材料科学光电子学电压环境科学纳米技术电气工程化学工程类冶金生物化学
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-023-01043-6
DOI	10.1038/s41928-023-01043-6 doi
其它	期刊：Nature electronics 作者：Peng Wu 出版日期：2023-11-22
求助人	阳pipi 在 2024-12-26 20:58:17 发布自湖南，悬赏 10 积分
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