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 Electron Transport Properties in High Electron Mobility Transistor Structures Improved by V-Pit Formation on the AlGaN/GaN Interface AlGaN/GaN界面V坑形成改善高电子迁移率晶体管结构的电子输运特性
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
电子迁移率
感应高电子迁移率晶体管
外延
晶体管
光电子学
费米气体
图层（电子）
位错
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电子
大气（单位）
电子传输链
凝聚态物理
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期刊：ACS applied materials & interfaces (Print) 作者：A. Hospodková; František Hájek; Tomáš Hubáček; Zuzana Gedeonová; Pavel Hubı́k; et al 出版日期：2023-04-06 |
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