Reconfiguring band-edge states and charge distribution of organic semiconductor–incorporated 2D perovskites via pressure gating

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标题	Reconfiguring band-edge states and charge distribution of organic semiconductor–incorporated 2D perovskites via pressure gating 通过压力门控重构掺有机半导体的二维钙钛矿的带边态和电荷分布相关领域异质结半导体材料科学光电子学载流子有机半导体 GSM演进的增强数据速率再分配（选举）纳米技术化学物理化学计算机科学电信政治学政治法学
网址	https://www.science.org/doi/pdf/10.1126/sciadv.add1984?downl...
DOI	10.1126/sciadv.add1984 doi
其它	期刊：Science Advances 作者：Songhao Guo; Yahui Li; Yuhong Mao; Weijian Tao; Kejun Bu; et al 出版日期：2022-11-04
求助人	呆萌的初晴在 2024-09-09 17:31:48 发布自湖南，悬赏 10 积分
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