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Demonstration of AlGaN-delta-GaN QW by plasma-assisted molecular beam epitaxy for 260-nm ultraviolet light emitting diodes
260nm紫外发光二极管等离子体辅助分子束外延AlGaN-delta-GaN QW的演示
相关领域
量子阱
分子束外延
光电子学
发光二极管
材料科学
量子限制斯塔克效应
二极管
宽禁带半导体
氮化物
紫外线
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光学
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期刊: 作者:Cheng Liu; Kevin Lee; S. M. Islam; Huili Grace Xing; Debdeep Jena; et al 出版日期:2018-02-23 |
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