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 Comparison of Electrical Performance of Co-Integrated Forksheets and Nanosheets Transistors for the 2nm Technological Node and Beyond 用于2nm技术节点及以后的共集成叉片和纳米片晶体管的电性能比较
相关领域
材料科学
晶体管
光电子学
可靠性（半导体）
电介质
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薄脆饼
压力（语言学）
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| 其它 |
期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：R. Ritzenthaler; Hans Mertens; Geert Eneman; E. Simoen; E. Bury; et al 出版日期：2021-12-11 |
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