Two-Dimensional Tunneling Memtransistor with Thin-Film Heterostructure for Low-Power Logic-in-Memory Complementary Metal-Oxide Semiconductor

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标题	Two-Dimensional Tunneling Memtransistor with Thin-Film Heterostructure for Low-Power Logic-in-Memory Complementary Metal-Oxide Semiconductor 用于低功耗逻辑存储器互补金属氧化物半导体的薄膜异质二维隧穿元件晶体管相关领域材料科学异质结量子隧道半导体氧化物光电子学纳米技术薄膜金属冶金
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.4c02711
DOI	10.1021/acsnano.4c02711 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Taoyu Zou; Seongmin Heo; Gwon Byeon; Sung-Shik Yoo; Mingyu Kim; et al 出版日期：2024-05-15
求助人	Juni 在 2024-05-25 13:11:21 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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