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Single Event Upset and Radiation Hardening of the Complementary FET (CFET) based 6T-SRAM
基于互补场效应管（CFET）的6T-SRAM的单事件扰动和辐射硬化
相关领域
单事件翻转 心烦意乱 辐射硬化 静态随机存取存储器 辐射 硬化（计算） 材料科学 电气工程 核物理学 物理 工程类 机械工程 纳米技术 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/iseda62518.2024.10617634
DOI
10.1109/iseda62518.2024.10617634 doi
其它 期刊：
作者：Zhengxin Zhang; Wangyong Chen; Jianwen Lin; Linlin Cai
出版日期：2024-05-10
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李沐唅 在 2025-04-02 19:43:08 发布自贵州，悬赏 10 积分
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