Study on effect of impurity concentration and thermal stress on vacancy-oxygen complexes in n-type G12 single crystal silicon by Czochralski method

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标题	Study on effect of impurity concentration and thermal stress on vacancy-oxygen complexes in n-type G12 single crystal silicon by Czochralski method 用直拉法研究杂质浓度和热应力对n型G12单晶硅中空位-氧络合物的影响相关领域材料科学杂质硅空位缺陷直拉法氧气热的单晶结晶学光电子学热力学化学有机化学物理
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109419
DOI	10.1016/j.mssp.2025.109419 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Qitao Zhang; Wang Ai; Tai Li; Peng-Bin He; Jun Xiao; et al 出版日期：2025-03-01
求助人	纷花雨在 2025-03-10 11:04:26 发布自山西，悬赏 10 积分
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