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标题
Processes of p-GaN Gate HEMTs for High-efficiency and High-reliability Applications
用于高效率和高可靠性应用的p-GaN栅极HEMT工艺
相关领域
可靠性（半导体） 材料科学 光电子学 宽禁带半导体 逻辑门 氮化镓 可靠性工程 电子工程 计算机科学 工程物理 工程类 纳米技术 物理 功率（物理） 量子力学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/asicon58565.2023.10396181
DOI
10.1109/asicon58565.2023.10396181 doi
其它 期刊：2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON)
作者：Junting Chen; Chengcai Wang; Zuoheng Jiang; Mengyuan Hua
出版日期：2023-10-24
求助人
心心哈 在 2025-03-15 16:01:31 发布自陕西，悬赏 10 积分
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