Synaptic Characteristics of Atomic Layer-Deposited Ferroelectric Lanthanum-Doped HfO2 (La:HfO2) and TaN-Based Artificial Synapses

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标题	Synaptic Characteristics of Atomic Layer-Deposited Ferroelectric Lanthanum-Doped HfO2 (La:HfO2) and TaN-Based Artificial Synapses 原子层沉积掺镧铁电HfO2（La：HfO2）和TaN基人工突触的特性相关领域材料科学镧光电子学兴奋剂图层（电子）铁电性原子层沉积纳米技术无机化学电介质化学
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.3c13159
DOI	10.1021/acsami.3c13159 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Yu‐Rim Jeon; Duho Kim; Bon‐Cheol Ku; Chulwon Chung; Changhwan Choi 出版日期：2023-12-02
求助人	清新的沛蓝在 2025-03-06 14:58:57 发布自山西，悬赏 10 积分
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