标题 |
Coexistence of polar distortion and conduction in doped 2D group-IV ferroelectrics: SiGe, SiSn, and GeSn
掺杂二维IV族铁电体SiGe、SiSn和GeSn中极性畸变和导电的共存
相关领域
材料科学
凝聚态物理
兴奋剂
光电子学
铁电性
带隙
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DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Physics: Condensed Matter 作者:Cheng-Jun Yao; Hong-Fei Huang; Yang Yao; Yin-Zhong Wu; Xiang Hao 出版日期:2021-01-18 |
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