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 A Review: Breakdown Voltage Enhancement of GaN Semiconductors Based High Electron Mobility Transistors GaN半导体基高电子迁移率晶体管击穿电压的提高
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Osman Çіçek; Yosef Badalı 出版日期：2024-03-20 |
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