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 The bias-dependence change of barrier height of Schottky diodes under forward bias by including the series resistance effect 包括串联电阻效应的肖特基二极管势垒高度随偏压的变化
相关领域
肖特基二极管
肖特基势垒
等效串联电阻
材料科学
二极管
凝聚态物理
半导体
偏压
金属半导体结
图层（电子）
电压
耗尽区
光电子学
纳米技术
物理
量子力学
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期刊：Physica Scripta 作者：A. Türüt; Bedia Batı; Ahmet Faruk Özdemir; M. Sağlam; Necati Yalçın 出版日期：1996-01-01 |
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