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Enhancing Resistive Switching in AlN-Based Memristors Through Oxidative Al2O3 Layer Formation: A Study on Preparation Techniques and Performance Impact
通过形成氧化Al2O3层增强AlN基忆阻器的电阻开关：制备技术和性能影响的研究
相关领域
记忆电阻器 材料科学 图层（电子） 电阻随机存取存储器 电阻式触摸屏 氧化磷酸化 光电子学 纳米技术 电极 电子工程 电气工程 化学 工程类 生物化学 物理化学
网址
https://doi.org/10.3390/mi15121499
AI链接 doi.orgdoi.org
DOI
10.3390/mi15121499 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Hongxuan Guo; Jiahao Yao; Siyuan Chen; Chong Qian; Xiangyu Pan; et al
出版日期：2024-12-16
求助人
感动的念双 在 2025-01-07 17:46:44 发布自天津，悬赏 10 积分
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