标题 |
On the Switching Parameter Variation of Metal-Oxide RRAM—Part I: Physical Modeling and Simulation Methodology
金属氧化物RRAM开关参数变化——第一部分:物理建模和仿真方法
相关领域
电阻随机存取存储器
重置(财务)
随机性
缩放比例
存水弯(水管)
变化(天文学)
电介质
材料科学
集合(抽象数据类型)
计算机科学
电子工程
统计物理学
计算物理学
模拟
光电子学
物理
电气工程
工程类
数学
电压
金融经济学
统计
气象学
经济
天体物理学
程序设计语言
几何学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Xialing Guan; Shimeng Yu; H.‐S. Philip Wong 出版日期:2012-02-14 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|