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Enhancement of Breakdown Voltage in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs With a Stepped Hybrid GaN/AlN Buffer Layer
阶梯式混合GaN/AlN缓冲层提高p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT的击穿电压
相关领域
高电子迁移率晶体管
击穿电压
材料科学
光电子学
氮化镓
晶体管
阻挡层
图层(电子)
阈值电压
缓冲器(光纤)
电压
电气工程
纳米技术
工程类
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期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者:Yuan Wang; Shengdong Hu; Jingwei Guo; Hao Wu; Tao Liu; et al 出版日期:2022-01-01 |
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