Advances in fast 4H–SiC crystal growth and defect reduction by high-temperature gas-source method

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标题	Advances in fast 4H–SiC crystal growth and defect reduction by high-temperature gas-source method 高温气源法快速生长4H-SiC晶体及减少缺陷的研究进展相关领域材料科学还原（数学） Crystal（编程语言）晶体生长工程物理光电子学核工程结晶学计算机科学几何学数学工程类化学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108315
DOI	10.1016/j.mssp.2024.108315 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Hidekazu Tsuchida; Takahiro Kanda 出版日期：2024-03-16
求助人	李扬在 2024-11-05 13:59:32 发布自河北，悬赏 10 积分
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