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 Excitation power dynamics of photoluminescence in InGaN∕GaN quantum wells with enhanced carrier localization 增强载流子局域化InGaN/GaN量子阱中光致发光的激发功率动力学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Karolis Kazlauskas; Г. Тамулайтис; J. Mickevičius; E. Kuokštis; A. Žukauskas; et al 出版日期：2004-12-14 |
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