Improvement of Carrier Mobility in Quantum Wells by the Surface Smoothing of Strain-Relaxed Buffer Layers

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标题	Improvement of Carrier Mobility in Quantum Wells by the Surface Smoothing of Strain-Relaxed Buffer Layers 利用应变松弛缓冲层表面平滑改善量子阱中载流子迁移率
网址	https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c00043
DOI	10.1021/acs.cgd.4c00043 doi
其它	期刊：Crystal Growth & Design 作者：Anna Aleksandrova; Christian Golz; Zoriana Zhuchenko; Klaus Biermann; Achim Trampert; et al 出版日期：2024
求助人	碧蓝曼易在 2024-05-06 11:41:38 发布自福建，悬赏 10 积分
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