标题 |
Boron‐Doped Engineering for Carbon Quantum Dots‐Based Memristors with Controllable Memristance Stability
可控记忆稳定性碳量子点忆阻器的硼掺杂工程
相关领域
记忆电阻器
材料科学
三元运算
兴奋剂
纳米技术
量子点
硼
光电子学
计算机科学
物理
量子力学
核物理学
程序设计语言
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Small methods 作者:Haotian Hao; Mixue Wang; Yanli Cao; Junqi He; Yongzhen Yang; et al 出版日期:2024-01-10 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|