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 Design and simulation study of multi-trench termination for 1200V SiC devices with charge coupled drift region 具有电荷耦合漂移区的1200V SiC器件多沟槽终端设计与仿真研究
相关领域
沟槽
材料科学
碳化硅
电气工程
光电子学
电荷（物理）
电压
击穿电压
工程物理
电子工程
物理
工程类
纳米技术
图层（电子）
量子力学
冶金
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| 其它 |
期刊： 作者：Chongning Zhao; Dongqing Hu; Yuechao Zheng; Yunpeng Jia; Xintian Zhou; et al 出版日期：2022-10-21 |
| 求助人 | |
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