Physics based model development of a double gate reverse T-shaped channel TFET including 1D and 2D band-to-band tunneling components

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标题	Physics based model development of a double gate reverse T-shaped channel TFET including 1D and 2D band-to-band tunneling components 基于物理的双栅极反T型沟道TFET模型的开发相关领域量子隧道阈下传导频道（广播）物理隧道场效应晶体管晶体管光电子学电压场效应晶体管电子工程电气工程工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106100
DOI	10.1016/j.mejo.2024.106100 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：K. Manikanta; Umakanta Nanda; Chandan Kumar Pandey 出版日期：2024-01-13
求助人	旋风小土豆在 2024-11-13 11:20:08 发布自陕西，悬赏 10 积分
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