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Tunable Resistive Switching in 2D MXene Ti3C2 Nanosheets for Non-Volatile Memory and Neuromorphic Computing
用于非易失性存储器和神经形态计算的2D MXene Ti3C2纳米片的可调谐电阻开关
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
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人工神经网络
神经促进
计算机科学
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长时程增强
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期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Xuelian Zhang; Haohan Chen; Siqi Cheng; Feng Guo; Wenjing Jie; et al 出版日期:2022-09-22 |
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