| 标题 |
 Correlation of failure mechanism of constant-current-stress and constant-voltage-stress breakdowns in ultrathin gate oxides of nMOSFETs by TEM NMOSFET超薄栅氧化层恒流应力和恒压应力击穿失效机理的TEM关联
相关领域
材料科学
压力（语言学）
常量（计算机编程）
恒流
MOSFET
栅极电压
凝聚态物理
恒压
电流（流体）
电压
机制（生物学）
时间常数
光电子学
电子工程
电气工程
晶体管
物理
计算机科学
工程类
量子力学
哲学
语言学
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Microelectronics Reliability 作者：K. L. Pey; Ching‐Hsuan Tung; M. Radhakrishnan; Lei Tang; Yuankun Sun; et al 出版日期：2003-09-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cctv18
彭于彦祖
一一
maox1aoxin
monere
小鱼爱吃肉
zho
背带裤打篮球
港岛妹妹
坚强的广山
嗯哼
tuanheqi
pluto
36456657
带头大哥
完美的天空
不配.
Billy
寻道图强
子车茗
皖公网安备34019202002308
