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 Effects of Back Interface on Performance of Dual-Gate InGaZnO Thin-Film Transistor With an Unisolated Top Gate Structure 背界面对非绝缘顶栅双栅InGaZnO薄膜晶体管性能的影响
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：C. Zhang; D. Li; P. T. Lai; Xiaodong Huang 出版日期：2021-08-01 |
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