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标题
Analysis of the Role of Interfacial Layer in Ferroelectric FET Failure as a Memory Cell
界面层在作为存储单元的铁电场效应管失效中的作用分析
相关领域
铁电性 材料科学 图层（电子） 非易失性存储器 光电子学 随机存取存储器 存储单元 铁电电容器 电子工程 电气工程 工程物理 纳米技术 工程类 计算机科学 晶体管 电介质 电压 计算机硬件
网址
https://doi.org/10.1109/led.2024.3360419
DOI
10.1109/led.2024.3360419 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：S. Lee; Hae-Sung Kim; H. J. Yang; Sanghyuk Yun; Junseong Park; et al
出版日期：2024-01-31
求助人
YY 在 2025-02-20 13:54:40 发布自河南，悬赏 10 积分
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