Impact of quantum well thickness on efficiency loss in InGaN/GaN LEDs: Challenges for thin-well designs

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标题	Impact of quantum well thickness on efficiency loss in InGaN/GaN LEDs: Challenges for thin-well designs 量子阱厚度对InGaN/GaN LED效率损失的影响：薄阱设计的挑战
网址	https://doi.org/10.1063/5.0258108
DOI	10.1063/5.0258108 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xuefeng Li; Nick Pant; Sheikh Ifatur Rahman; Rob Armitage; Siddharth Rajan; et al 出版日期：2025
求助人	skyfable 在 2025-04-10 16:53:13 发布自江西，悬赏 10 积分
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