ScAlN-Based ITO Channel Ferroelectric Field-Effect Transistors With Large Memory Window

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标题	ScAlN-Based ITO Channel Ferroelectric Field-Effect Transistors With Large Memory Window 具有大存储窗口的ScAlN基ITO沟道铁电场效应晶体管相关领域铁电性材料科学光电子学晶体管场效应晶体管非易失性存储器氮化物极化（电化学）纳米技术电气工程电介质图层（电子）化学工程类电压物理化学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3295792
DOI	10.1109/ted.2023.3295792 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shubham Mondal; Ding Wang; Mingtao Hu; Jiangnan Liu; Minming He; et al 出版日期：2023-08-01
求助人	Sean 在 2024-11-12 19:52:26 发布自河北，悬赏 10 积分
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