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 ScAlN-Based ITO Channel Ferroelectric Field-Effect Transistors With Large Memory Window 具有大存储窗口的ScAlN基ITO沟道铁电场效应晶体管
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shubham Mondal; Ding Wang; Mingtao Hu; Jiangnan Liu; Minming He; et al 出版日期：2023-08-01 |
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