标题 |
In Situ Fabrication of PdSe2/GaN Schottky Junction for Polarization-Sensitive Ultraviolet Photodetection with High Dichroic Ratio
PdSe2/GaN高二色比偏振敏感紫外光检测肖特基结的原位制备
相关领域
光探测
材料科学
响应度
光电子学
光电探测器
极化(电化学)
紫外线
异质结
肖特基势垒
光学
物理
化学
二极管
物理化学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS Nano 作者:Di Wu; Mengmeng Xu; Longhui Zeng; Zhifeng Shi; Yongzhi Tian; et al 出版日期:2022-03-24 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|