标题 |
AlScN/n-GaN Ferroelectric Memristors With Controllable On/Off Ratios and Reversible Bipolar Resistive Switching Characteristics
具有可控开/关比和可逆双极电阻开关特性的AlScN/n-GaN铁电忆阻器
相关领域
记忆电阻器
材料科学
铁电性
光电子学
电阻式触摸屏
铁电电容器
非易失性存储器
电气工程
工程类
电介质
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Mingrui Liu; Shunpeng Lu; Yuping Jia; Hang Zang; Ke Jiang; et al 出版日期:2024-03-01 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|