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[高分] 学位论文 Atomic Layer Deposition (ALD) Process Development of Nb-doped TiO₂ as a Transparent Conducting Oxide (TCO) and ALD of HfO₂/Nb₂O₅ Bilayers as Insulating Barriers for Metal/Insulator/Insulator/Metal (MIIM) Diodes
Nb掺杂TiO₂作为透明导电氧化物(TCO)和HfO₂/Nb₂O₅双层作为金属/绝缘体/绝缘体/金属(MIIM)二极管绝缘阻挡层的原子层沉积(ALD)工艺开发
相关领域
原子层沉积
材料科学
金属绝缘体金属
绝缘体（电）
兴奋剂
氧化物
金属
图层（电子）
高-κ电介质
光电子学
纳米技术
冶金
电气工程
电介质
工程类
电容器
电压
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AI链接 oregonstate.edu |
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期刊： 作者：Shijia Lin 出版日期：2016-08-16 |
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