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 Impact of Post-Trench Process Treatment on Electron Scattering Mechanisms in 4H-SiC Trench MOSFETs 沟槽后工艺处理对4H-SiC沟槽MOSFET电子散射机制的影响
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zewei Dong; Yun Bai; Zhangpei Chen; Chengzhan Li; Yidan Tang; et al 出版日期：2023-03-01 |
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