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Asynchronous 1R-1W dual-port SRAM by using single-port SRAM in 28nm UTBB-FDSOI technology
28nm UTBB-FDSOI技术中利用单端口SRAM实现异步1R-1W双端口SRAM
相关领域
静态随机存取存储器
异步通信
端口(电路理论)
计算机科学
绝缘体上的硅
嵌入式系统
计算机硬件
电子工程
工程类
计算机网络
物理
光电子学
硅
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期刊: 作者:Harsh Rawat; Krishna Bharath; Alexander Fell 出版日期:2017-09-01 |
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