Engineering Ferroelectric HZO with n+-Si/Ge Substrates Achieving High 2Pr =84 μC/cm2 and Endurance > 1E11

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标题	Engineering Ferroelectric HZO with n+-Si/Ge Substrates Achieving High 2Pr =84 μC/cm2 and Endurance > 1E11 具有n+-Si/Ge衬底的工程铁电HZO，2Pr=84 μ c/cm2，耐久性>1E11 相关领域铁电性材料科学硅锗物理光电子学电介质
网址	https://doi.org/10.1109/access.2024.3402120
DOI	10.1109/access.2024.3402120 doi
其它	期刊：IEEE access 作者：Zefu Zhao; Yun‐Wen Chen; Yu-Rui Chen; Liu C 出版日期：2024-01-01
求助人	落寞晓兰在 2024-05-22 08:41:39 发布自浙江，悬赏 10 积分
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