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“Cold” Tunneling Ohmic Contact With p-GaAs Nanolayer 10 nm Thick
10nm厚p-GaAs纳米层的“冷”隧穿欧姆接触
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:V. M. Mikoushkin; E. A. Makarevskaya; Dmitry A. Novikov; С.В. Никонов; Irina B. Suslova 出版日期:2023-06-01 |
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