标题 |
A Source Segmented LDMOS Structure for Improving Single Event Burnout Tolerance Based on High-Voltage BCD Process
一种基于高压BCD工艺提高单事件燃耗容限的源分段LDMOS结构
相关领域
LDMOS
电压
材料科学
电阻器
CMOS芯片
高压
击穿电压
电子工程
电气工程
光电子学
工程类
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DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者:Jin Xu; Zhiqi Lei; ChenChen Zhang; Xin Wan; Zhuojun Chen 出版日期:2024-01-01 |
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