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Effect of barrier layer on switching polarity of ZrO2-based conducting-bridge random access memory
势垒层对ZrO2基导电桥随机存取存储器极性切换的影响
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Sridhar Chandrasekaran; Firman Mangasa Simanjuntak; Tsung-Ling Tsai; Chun-An Lin; Tseung‐Yuen Tseng 出版日期:2017-09-11 |
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